Nano-silicium-Karbonanodemateriale Produktintroduktion
Teknisk positionering og kernegennembrud
Dette produkt anvender et fjerde-generations tredobbelt-strukturdesign af "kerne-shell - bufferlags - ledende netværk." Gennem molekylær-grænseflademodifikation og multi-dimensionel kulstofbelægningsteknologi løser den med succes industriens udfordring med høje ekspansionshastigheder i nano-siliciummaterialer, og opnår en optimal balance mellem høj initial effektivitet og lang levetid.
Kernepræstationsparametre
|
Nøglemetrik |
Præstationsparametre |
Teknisk fordel |
|---|---|---|
|
Specifik kapacitet |
1500-2200 mAh/g (justerbar) |
4-6 gange højere end konventionel grafit |
|
Indledende Coulombic effektivitet |
92-94 % (kan øges til 96 % via pre-lithiation) |
Proprietær teknologi til modifikation af fast elektrolytgrænseflade |
|
Udvidelseshastighed |
Mindre end eller lig med 15 % (efter 100 cyklusser ved 1C) |
3D porøs kulstofmatrix bufferstruktur |
|
Cyklus liv |
Større end eller lig med 80 % kapacitetsretention efter 1500 cyklusser |
Gradient densitet belægningsteknologi |
|
Tryk på Tæthed |
0,95-1,25 g/cm³ |
Sfæroidiseret sekundær granuleringsproces |
|
Specifikt overfladeareal |
2.5-4.5 m²/g |
Kontrolleret overfladepassiveringsteknologi |
Tilpasningsdimensioner
Strukturel tilpasning
Silicium-til-kulstofforhold (5:95 til 50:50)
Forholdet mellem kerne-til-skaltykkelse (1:1 til 1:3)
Porøsitet (15 % - 40 %)
Tilpasning af elektrokemisk egenskab
Fast-charge type: >88 % kapacitetsopbevaring ved 5C hastighed
Wide-temperature type: >85 % kapacitetsopbevaring ved -40 grader / 60 grader
Høj-sikkerhedstype: Består 150 graders hotbox-test
Tilpasning af proceskompatibilitet
Kompatibilitet med vand-baserede/opløsningsmiddel-baserede bindemidler
Optimering til tørre/våde elektrodeprocesser
Præcis kontrol af præ-lithieringsgrad (0-10 %)
Innovative teknologiske højdepunkter
Bufferarkitektur i flere-trin
Indvendigt lag: Hule kulstofkugler buffervolumenændring
Mellemlag: Elastisk polymer-grænsefladelag
Yderste lag: Grafen ledende netværk
Atomic Layer Deposition (ALD) belægning
2nm ultra-tynd Al₂O₃/SiO₂-kompositbelægning
Forbedrer grænsefladestabiliteten med 300 %
Intelligent Prelithiation-teknologi
Præcis lithiumkompensation ved hjælp af mikro-indkapslet lithiumpulver
Resterende alkalikontrol < 200 ppm
Præcis applikationsscenarietilpasning
|
Ansøgningsfelt |
Anbefalet model |
Karakteristiske fordele |
|---|---|---|
|
Avancerede-elektriske køretøjer |
FD-31811 |
Understøtter 1000 km rækkevidde, 80% opladning på 10 minutter |
|
Aerospace Power Systems |
FD-31821 |
Fungerer ved -60 grader, 20.000 cyklusser |
|
Medicinsk implantatudstyr |
FD-31831 |
10 års levetid, certificeret biokompatibilitet |
|
Avanceret-forbrugerelektronik |
FD-31841 |
Volumetrisk energitæthed 1500 Wh/L |
Kvalitetssikringssystem
Intelligent produktionslinje
Kontrol af partikelstørrelse på nano-niveau (CV < 5 %)
Fuld parametertestrapport leveres med hver batch
Bæredygtig produktion
Silicium råmateriale udnyttelsesgrad Større end eller lig med 99 %
40 % reduktion i processens kulstofemissioner
Tekniske serviceniveauer
Grundlag: Vejledning om materialekompatibilitet
Avanceret niveau: Kollaborativ elektrolytudvikling
Strategisk niveau: Fælles R&D platform opbygning, IP-deling
Vores værdiforslag
Vi driver den kommercielle anvendelse af silicium-kulstofmaterialer gennem kontinuerlig innovation og leverer skræddersyede løsninger, der overgår forventningerne til enhver kunde. Gratis prøver og tekniske forslag er tilgængelige efter anmodning.
Bemærk: Prøver tilgængelige fra gram til ton skala, ledsaget af matchede elektrolyt- og procesparameterpakker.
Populære tags: nanosilicium-kulstofnegative elektrodematerialer, Kina nanosilicium-carbonnegative elektrodematerialer, producenter, leverandører, fabrik
